新しいエレクトロニクス

Nexperia は、30 A NGW30T60M3DF を皮切りに、さまざまな 600 V デバイスで絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ (IGBT) 市場に参入しました。

Nexperia は、自社の広範なポートフォリオに IGBT を追加することで、さまざまな性能とコスト要件を備えた効率的な高電圧スイッチング デバイスの需要に応えようとしています。 これらにより、5 ～ 20 kW (20 kHz) の範囲のサーボ モーターなどの産業用モーター ドライブ、ロボット工学、エレベーター、操作グリッパー、インライン製造、パワー インバーター、無停電電源装置などの電力変換およびモーター ドライブ アプリケーションでの電力密度の向上が可能になります ( UPS）、太陽光発電（PV）ストリング、EV 充電、誘導加熱と溶接などです。

IGBT は比較的成熟した技術ですが、ソーラー パネルや電気自動車 (EV) 充電器の採用の増加に伴い、これらのデバイスの市場は成長すると予想されます。

Nexperia の 600 V IGBT は、堅牢でコスト効率の高いキャリア蓄積型トレンチ ゲートの高度なフィールドストップ (FS) 構造を特徴としており、最大 175 °C の動作温度で高レベルの耐久性を備えながら、非常に低い導通およびスイッチング損失性能を実現します。 これにより、パワーインバーター、誘導ヒーター、溶接装置、およびモータードライブやサーボ、ロボット工学、エレベーター、操作グリッパー、インライン製造などの産業用アプリケーションの効率と信頼性が向上します。

設計者は、中速 (M3) シリーズ IGBT と高速 (H3) シリーズ IGBT のどちらかを選択できます。 これらの IGBT は非常に厳密なパラメータ分布で設計されており、複数のデバイスを安全に並列接続できます。 さらに、競合デバイスよりも熱抵抗が低いため、より高い出力電力を提供できます。 これらの IGBT は、ソフト高速逆回復ダイオードとしても完全に評価されています。 これは、整流器や双方向回路の用途、または過電流状態からの保護に適していることを意味します。

これらの IGBT は標準の鉛フリー TO247-3L パッケージで提供され、屋外アプリケーション向けに HV-H3TRB 認定を受けています。 Nexperia は、このリリースに続き、一連の 1200 V IGBT をリリースする予定です。